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IT之家 5 月 21 日消息，博主 Darkmont 今日放出了 Synopsys 與 JEDEC 關(guān)于下一代 DDR6 / LPDDDR6 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的文檔。

DDR6 內(nèi)存

▲?圖源?Darkmont，下同

文檔顯示 DDR6 內(nèi)存將擁有 8.8Gbps 至 17.6Gbps 的內(nèi)存速率，并可能擴(kuò)展至 21Gbps，標(biāo)準(zhǔn)初稿將于今年發(fā)布，1.0 版規(guī)格明年第二季度公布。

LPDDR6 內(nèi)存

文檔顯示，LPDDR6 內(nèi)存通道位寬 24bit，起始速率 10.667Gbps、最高定義速率 14.4 Gbps。

▲ 通道示意圖

LPDDR6 內(nèi)存速率將超過 10Gbps，帶寬可達(dá) 28.5-38.4GB/s，并在低功耗與安全性上進(jìn)一步提升。

此外，JEDEC 還在研究 LPDDR6 CAMM2 模組及其在桌面與服務(wù)器平臺(tái)的應(yīng)用。

▲?LPDDR6 CAMM2 模組

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